光刻机中国能做到几纳米

中国光刻机的纳米实现情况：

1. 中国目前最先进的光刻机纳米实现为22纳米。这台光刻机的关键部件已实现国产化。

2. 中芯国际取得重大成就，已能量产14纳米芯片。

3. 上海微电子是中国唯一一家可以量产光刻机的芯片半导体企业，其光刻机分辨率达到90纳米。

4. 上海微电子计划在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机，并已开发了22纳米的光刻机。

5. 国内光刻机生产工厂最高可批量生产14纳米芯片，技术上可以生产7纳米芯片，但目前良品率不高。

6. DUV光刻机最大分辨率为38纳米，而国产光刻机已成功突破这一门槛，明年将量产28纳米光刻机。

7. 最先进的光刻机为ASML的EUV光刻机，最高可达5纳米工艺制作，即将推出3纳米制作工艺。

8. 目前国内正在研发28纳米精度的光刻机，在多次曝光后达到14纳米，甚至可能迈入7纳米。

9. 上海微电子开发的紫外光刻机具有分辨力最高的紫外光源，波长为365纳米，曝光线宽分辨力达到22纳米。

从上述内容可以了解到中国光刻机产业的发展现状和趋势。随着科技进步和国产化的不断推进，中国光刻机在纳米实现方面取得了显著进展。虽然相对荷兰ASML公司的EUV光刻机仍有差距，但中国已经能够量产14纳米芯片，并且在研发中拥有更高分辨率和更先进工艺的光刻机。这些成就在提高芯片制程精度、生产更先进的芯片方面具有重要意义。未来，中国光刻机行业有望继续突破技术壁垒，实现更小纳米级别的制程，推动我国半导体产业的进一步发展。